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      圖片信息
      SPB04N60C3ATMA1圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:SPB04N60C3ATMA1
    4. 原始制造廠商:Infineon,英飛凌
    5. 技術標準參數(shù):MOSFET N-CH 650V 4.5A TO263-3
    6. 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
    7. 點擊此處下載SPB04N60C3ATMA1的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:SPB04N60C3ATMA1
    11. 制造商:Infineon Technologies
    12. 描述:MOSFET N-CH 650V 4.5A TO263-3
    13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
    14. 產(chǎn)品系列:CoolMOS?
    15. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
    16. FET類型:N 通道
    17. 技術:MOSFET(金屬氧化物)
    18. 漏源電壓(Vdss):650V
    19. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):4.5A(Tc)
    20. 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
    21. 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):950 毫歐 @ 2.8A,10V
    22. 不同Id時Vgs(th)(最大值):3.9V @ 200μA
    23. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):25nC @ 10V
    24. Vgs(最大值):±20V
    25. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):490pF @ 25V
    26. FET功能:-
    27. 功率耗散(最大值):50W(Tc)
    28. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
    29. 安裝類型:表面貼裝型
    30. 器件封裝:PG-TO263-3-2
    31. SPB04N60C3ATMA1均從Infineon代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
    32. 時刻努力成為您值得信賴的IC供應商
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