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      圖片信息
      SPB02N60C3圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:SPB02N60C3
    4. 原始制造廠商:Infineon,英飛凌
    5. 技術(shù)標準參數(shù):MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:單端場效應(yīng)管
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. Infineon英飛凌公司完整型號:SPB02N60C3
    11. 制造廠家名稱:Infineon Technologies
    12. 描述:MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK
    13. 系列:CoolMOS?
    14. FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    15. FET 功能:標準
    16. 漏源極電壓 (Vdss):650V
    17. 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):1.8A(Tc)
    18. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):3 歐姆 @ 1.1A,10V
    19. 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 80μA
    20. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):12.5nC @ 10V
    21. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):200pF @ 25V
    22. 功率 - 最大值:25W
    23. 安裝類型:表面貼裝
    24. 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    25. 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-3
    26. SPB02N60C3均從Infineon代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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      深圳市南皇電子有限公司致力成為中國領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫存優(yōu)化處理專家,一站式電子元器件采購增值配套,快速響應(yīng)您的報價請求

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