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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：IRGS4B60KD1TRLP

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 600V 11A 63W D2PAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：IRGS4B60KD1TRLP

制造商：Infineon Technologies

描述：IGBT 600V 11A 63W D2PAK

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

IGBT類型：NPT

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：11A

電流-集電極脈沖(Icm)：22A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，4A

功率-最大值：63W

開關(guān)能量：73μJ（開），47μJ（關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：12nC

25°C時Td（開/關(guān)）值：22ns/100ns

測試條件：400V，4A，100 歐姆，15V

反向恢復(fù)時間(trr)：93ns

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

IRGS4B60KD1TRLP均從Infineon代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Infineon

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