深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供IRFB31N20DPBF（品牌: Infineon）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

IRFB31N20DPBF - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Infineon代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：IRFB31N20DPBF

原始制造廠商：Infineon，英飛凌

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 31A TO220AB

產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi)：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：IRFB31N20DPBF

制造商：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 200V 31A TO220AB

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：HEXFET?

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類(lèi)型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：200V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：31A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：82 毫歐 @ 18A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 250μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：107nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：2370pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），200W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類(lèi)型：通孔

器件封裝：TO-220AB

IRFB31N20DPBF均從Infineon代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Infineon

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