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      圖片信息
      IRF630NSTRLPBF圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:IRF630NSTRLPBF
    4. 原始制造廠商:Infineon,英飛凌
    5. 技術標準參數:MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
    6. 產品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
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    9. 技術參數詳解:
    10. 制造商產品型號:IRF630NSTRLPBF
    11. 制造商:Infineon Technologies
    12. 描述:MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
    13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
    14. 產品系列:HEXFET?
    15. 零件狀態(tài):有源
    16. FET類型:N 通道
    17. 技術:MOSFET(金屬氧化物)
    18. 漏源電壓(Vdss):200V
    19. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):9.3A(Tc)
    20. 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
    21. 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):300 毫歐 @ 5.4A,10V
    22. 不同Id時Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
    23. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):35nC @ 10V
    24. Vgs(最大值):±20V
    25. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):575pF @ 25V
    26. FET功能:-
    27. 功率耗散(最大值):82W(Tc)
    28. 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
    29. 安裝類型:表面貼裝型
    30. 器件封裝:D2PAK
    31. IRF630NSTRLPBF均從Infineon代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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