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      圖片信息
      IPW60R099C6FKSA1圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:IPW60R099C6FKSA1
    4. 原始制造廠商:Infineon,英飛凌
    5. 技術標準參數(shù):MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
    6. 產品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. 制造商產品型號:IPW60R099C6FKSA1
    11. 制造商:Infineon Technologies
    12. 描述:MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
    13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
    14. 產品系列:CoolMOS?
    15. 零件狀態(tài):不適用於新設計
    16. FET類型:N 通道
    17. 技術:MOSFET(金屬氧化物)
    18. 漏源電壓(Vdss):600V
    19. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):37.9A(Tc)
    20. 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
    21. 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):99 毫歐 @ 18.1A,10V
    22. 不同Id時Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.21mA
    23. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):119nC @ 10V
    24. Vgs(最大值):±20V
    25. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):2660pF @ 100V
    26. FET功能:-
    27. 功率耗散(最大值):278W(Tc)
    28. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
    29. 安裝類型:通孔
    30. 器件封裝:PG-TO247-3
    31. IPW60R099C6FKSA1均從Infineon代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
    32. 時刻努力成為您值得信賴的IC供應商
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