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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：IPN60R2K0PFD7SATMA1

原始制造廠商：Infineon，英飛凌

技術標準參數(shù)：MOSFET N-CH 650V 3A SOT223

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數(shù)詳解：

制造商產品型號：IPN60R2K0PFD7SATMA1

制造商：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 650V 3A SOT223

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：CoolMOS?PFD7

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：3A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：2 歐姆 @ 500mA，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 30μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：3.8nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：134pF @ 400V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：6W（Tc）

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：PG-SOT223

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