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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：IPG20N10S4L35ATMA1

技術標準參數：MOSFET 2N-CH 8TDSON

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術參數詳解：

制造商產品型號：IPG20N10S4L35ATMA1

制造商：Infineon Technologies

描述：MOSFET 2N-CH 8TDSON

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產品系列：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?

零件狀態(tài)：有源

FET類型：2 N-通道（雙）

FET功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：100V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：20A

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：35 毫歐 @ 17A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 16μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：17.4nC @ 10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1105pF @ 25V

功率-最大值：43W

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-PowerVDFN

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Infineon

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