深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供IPD65R250E6XTMA1（品牌: Infineon）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：IPD65R250E6XTMA1

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 650V 16.1A TO252-3

產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi)：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿(mǎn)足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：IPD65R250E6XTMA1

制造商：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 650V 16.1A TO252-3

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：CoolMOS? E6

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類(lèi)型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：16.1A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：250 毫歐 @ 4.4A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 400μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：45nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：950pF @ 1000V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：208W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類(lèi)型：表面貼裝型

器件封裝：PG-TO252-3

IPD65R250E6XTMA1均從Infineon代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Infineon

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