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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：IPB80N06S2L-11

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

產(chǎn)品應(yīng)用分類：單端場效應(yīng)管

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

Infineon英飛凌公司完整型號：IPB80N06S2L-11

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

系列：OptiMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：55V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：80A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：10.7 毫歐 @ 60A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 93μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：80nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2075pF @ 25V

功率 - 最大值：158W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-3

IPB80N06S2L-11均從Infineon代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Infineon

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