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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：IPB120N04S4-02

原始制造廠商：Infineon，英飛凌

技術標準參數：MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2

產品應用分類：單端場效應管

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技術參數詳解：

Infineon英飛凌公司完整型號：IPB120N04S4-02

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2

系列：OptiMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：40V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：120A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：1.8 毫歐 @ 100A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 110μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：134nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：10740pF @ 25V

功率 - 最大值：158W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商器件封裝：PG-TO263-3-2

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Infineon

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