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      圖片信息
      IPB085N06L G圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:IPB085N06L G
    4. 原始制造廠商:Infineon,英飛凌
    5. 技術標準參數:MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
    6. 產品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
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    9. 技術參數詳解:
    10. 制造商產品型號:IPB085N06L G
    11. 制造商:Infineon Technologies
    12. 描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
    13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
    14. 產品系列:*
    15. 零件狀態(tài):停產
    16. FET類型:N 通道
    17. 技術:MOSFET(金屬氧化物)
    18. 漏源電壓(Vdss):60V
    19. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):80A(Tc)
    20. 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):-
    21. 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):8.2 毫歐 @ 80A,10V
    22. 不同Id時Vgs(th)(最大值):2V @ 125μA
    23. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):104nC @ 10V
    24. Vgs(最大值):-
    25. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):3500pF @ 30V
    26. FET功能:-
    27. 功率耗散(最大值):-
    28. 工作溫度:-
    29. 安裝類型:表面貼裝型
    30. 器件封裝:PG-TO263-3-2
    31. IPB085N06L G均從Infineon代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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