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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：IKD08N65ET6ARMA1

原始制造廠商：Infineon，英飛凌

技術標準參數：IKD08N65ET6ARMA1

產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術參數詳解：

制造商產品型號：IKD08N65ET6ARMA1

制造商：Infineon Technologies

描述：IKD08N65ET6ARMA1

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產品系列：TrenchStop?

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：溝槽型場截止

電壓-集射極擊穿（最大值）：650V

電流-集電極(Ic)（最大值）：15A

電流-集電極脈沖(Icm)：25A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，5A

功率-最大值：47W

開關能量：110μJ（開），40μJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：17nC

25°C時Td（開/關）值：20ns/59ns

測試條件：400V，5A，47 歐姆，15V

反向恢復時間(trr)：43ns

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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