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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：FS45MR12W1M1B11BOMA1

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET MODULE 1200V 50A

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：FS45MR12W1M1B11BOMA1

制造商：Infineon Technologies

描述：MOSFET MODULE 1200V 50A

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：CoolSiC?+

零件狀態(tài)：有源

FET類型：6 N-溝道（3 相橋）

FET功能：碳化硅（SiC）

漏源電壓（Vdss）：1200V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：25A（Tj）

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：45 毫歐 @ 25A，15V（標(biāo)準(zhǔn)）

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：5.55V @ 10mA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：62nC @ 15V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1840pF @ 800V

功率-最大值：20mW（Tc）

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝：模塊

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Infineon

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