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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：FP75R17N3E4B11BPSA1

技術(shù)標準參數(shù)：IGBT MOD 1700V 150A 20MW

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - IGBT - 模塊

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：FP75R17N3E4B11BPSA1

制造商：Infineon Technologies

描述：IGBT MOD 1700V 150A 20MW

系列：晶體管 - IGBT - 模塊

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：溝槽型場截止

配置：三相反相器

電壓-集射極擊穿（最大值）：1700V

電流-集電極(Ic)（最大值）：150A

功率-最大值：20mW

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，75A

電流-集電極截止（最大值）：1mA

不同?Vce時輸入電容(Cies)：6.8nF @ 25V

輸入：三相橋式整流器

NTC熱敏電阻：是

工作溫度：-40°C ~ 150°C

安裝類型：底座安裝

封裝：模塊

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Infineon

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