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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：FF1000R17IE4DB2BOSA1

技術標準參數(shù)：IGBT MODULE 1700V 6250W

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - IGBT - 模塊

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技術參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：FF1000R17IE4DB2BOSA1

制造商：Infineon Technologies

描述：IGBT MODULE 1700V 6250W

系列：晶體管 - IGBT - 模塊

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：-

配置：2 個獨立式

電壓-集射極擊穿（最大值）：1700V

電流-集電極(Ic)（最大值）：-

功率-最大值：6250W

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.45V @ 15V，1000A

電流-集電極截止（最大值）：5mA

不同?Vce時輸入電容(Cies)：81nF @ 25V

輸入：標準

NTC熱敏電阻：是

工作溫度：-40°C ~ 150°C

安裝類型：底座安裝

封裝：模塊

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Infineon

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