深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供BSO303P H（品牌: Infineon）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

BSO303P H - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Infineon代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：BSO303P H

原始制造廠商：Infineon，英飛凌

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 2P-CH 30V 7A DSO-8

產(chǎn)品應(yīng)用分類：場(chǎng)效應(yīng)管陣列

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

Infineon英飛凌公司完整型號(hào)：BSO303P H

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET 2P-CH 30V 7A DSO-8

系列：OptiMOS?

FET 類型：2 個(gè) P 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門(mén)

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：7A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：21 毫歐 @ 8.2A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 100μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：49nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：2678pF @ 25V

功率 - 最大值：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：PG-DSO-8

BSO303P H均從Infineon代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Infineon

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