深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供BSC190N12NS3 G（品牌: Infineon）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

BSC190N12NS3 G - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Infineon代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：BSC190N12NS3 G

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8

產(chǎn)品應(yīng)用分類：?jiǎn)味藞?chǎng)效應(yīng)管

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

Infineon英飛凌公司完整型號(hào)：BSC190N12NS3 G

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8

系列：OptiMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：120V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：8.6A（Ta），44A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：19 毫歐 @ 39A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 42μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：34nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：2300pF @ 60V

功率 - 最大值：69W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerTDFN

供應(yīng)商器件封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）

BSC190N12NS3 G均從Infineon代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Infineon

Infineon

Infineon

Infineon

Infineon

Infineon

買到真正的BSC190N12NS3 G原裝貨 - 來(lái)自全球授權(quán)的Infineon代理商、原廠貨源 - 深圳市南皇電子有限公司

深圳市南皇電子有限公司 - BSC190N12NS3 G - Infineon公司芯片現(xiàn)貨領(lǐng)導(dǎo)代理商

深圳市南皇電子有限公司致力成為中國(guó)領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫(kù)存優(yōu)化處理專家,一站式電子元器件采購(gòu)增值配套,快速響應(yīng)您的報(bào)價(jià)請(qǐng)求