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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：MMIX1X200N60B3H1

原始制造廠商：IXYS

技術(shù)標準參數(shù)：IGBT 600V 175A 520W SMPD

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：MMIX1X200N60B3H1

制造商：IXYS（IXYS已被Littelfuse收購）

描述：IGBT 600V 175A 520W SMPD

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：GenX3?, XPT?

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：175A

電流-集電極脈沖(Icm)：1000A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.7V @ 15V，100A

功率-最大值：520W

開關(guān)能量：2.85mJ（開），2.9mJ（關(guān)）

輸入類型：標準

柵極電荷：315nC

25°C時Td（開/關(guān)）值：48ns/160ns

測試條件：360V，100A，1 歐姆，15V

反向恢復(fù)時間(trr)：100ns

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：24-PowerSMD，21 引線

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