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IXGQ35N120BD1 - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，IXYS代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：IXGQ35N120BD1

原始制造廠(chǎng)商：IXYS

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 1200V 75A 400W TO3P

產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi)：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：IXGQ35N120BD1

制造商：IXYS（IXYS已被Littelfuse收購(gòu)）

描述：IGBT 1200V 75A 400W TO3P

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

IGBT類(lèi)型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V

電流-集電極(Ic)（最大值）：75A

電流-集電極脈沖(Icm)：200A

不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：3.3V @ 15V，35A

功率-最大值：400W

開(kāi)關(guān)能量：900μJ（開(kāi)），3.8mJ（關(guān)）

輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：140nC

25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：40ns/270ns

測(cè)試條件：960V，35A，3 歐姆，15V

反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：40ns

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類(lèi)型：通孔

封裝：TO-3P-3，SC-65-3

IXGQ35N120BD1均從IXYS代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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質(zhì)量是南皇電子從眾多競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手中脫穎而出的關(guān)鍵因數(shù)

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