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      圖片信息
      IXDN75N120圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:IXDN75N120
    4. 原始制造廠商:IXYS
    5. 技術(shù)標準參數(shù):IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
    6. 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - IGBT - 模塊
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:IXDN75N120
    11. 制造商:IXYS(IXYS已被Littelfuse收購)
    12. 描述:IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
    13. 系列:晶體管 - IGBT - 模塊
    14. 零件狀態(tài):有源
    15. IGBT類型:NPT
    16. 配置:單路
    17. 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
    18. 電流-集電極(Ic)(最大值):150A
    19. 功率-最大值:660W
    20. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,75A
    21. 電流-集電極截止(最大值):4mA
    22. 不同?Vce時輸入電容(Cies):5.5nF @ 25V
    23. 輸入:標準
    24. NTC熱敏電阻:無
    25. 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
    26. 安裝類型:底座安裝
    27. 封裝:SOT-227-4,miniBLOC
    28. IXDN75N120均從IXYS代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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