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      圖片信息
      FII50-12E圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:FII50-12E
    4. 原始制造廠商:IXYS
    5. 技術標準參數(shù):IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5
    6. 產品應用分類:晶體管 - IGBT - 陣列
    7. 點擊此處下載FII50-12E的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. 制造商產品型號:FII50-12E
    11. 制造商:IXYS(IXYS已被Littelfuse收購)
    12. 描述:IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5
    13. 系列:晶體管 - IGBT - 陣列
    14. 零件狀態(tài):停產
    15. IGBT類型:NPT
    16. 配置:半橋
    17. 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
    18. 電流-集電極(Ic)(最大值):50A
    19. 功率-最大值:200W
    20. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,30A
    21. 電流-集電極截止(最大值):400μA
    22. 不同?Vce時輸入電容(Cies):2nF @ 25V
    23. 輸入:標準
    24. NTC熱敏電阻:無
    25. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
    26. 安裝類型:通孔
    27. 封裝:i4-Pac?-5
    28. FII50-12E均從IXYS代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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