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      圖片信息
      IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR
    4. 原始制造廠商:ISSI
    5. 技術(shù)標準參數(shù):IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 24TFBGA
    6. 產(chǎn)品應用分類:存儲器
    7. 點擊此處下載IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR
    11. 制造商:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    12. 描述:IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 24TFBGA
    13. 產(chǎn)品系列:存儲器
    14. 包裝:卷帶(TR)
    15. 系列:-
    16. 零件狀態(tài):有源
    17. 存儲器類型:易失
    18. 存儲器格式:PSRAM
    19. 技術(shù):PSRAM(偽 SRAM)
    20. 存儲容量:64Mb(8M x 8)
    21. 存儲器接口:并聯(lián)
    22. 時鐘頻率:100MHz
    23. 寫周期時間-字,頁:40ns
    24. 訪問時間:40ns
    25. 電壓-供電:2.7V ~ 3.6V
    26. 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
    27. 安裝類型:表面貼裝型
    28. 產(chǎn)品封裝:24-TBGA
    29. IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR均從ISSI代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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