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      圖片信息
      IS66WV51216EBLL-70BLI圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:IS66WV51216EBLL-70BLI
    4. 原始制造廠商:ISSI
    5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:存儲器
    7. 點擊此處下載IS66WV51216EBLL-70BLI的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
    8. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:IS66WV51216EBLL-70BLI
    11. 制造商:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    12. 描述:IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
    13. 產(chǎn)品系列:存儲器
    14. 包裝:托盤
    15. 系列:-
    16. 零件狀態(tài):有源
    17. 存儲器類型:易失
    18. 存儲器格式:PSRAM
    19. 技術(shù):PSRAM(偽 SRAM)
    20. 存儲容量:8Mb(512K x 16)
    21. 存儲器接口:并聯(lián)
    22. 時鐘頻率:-
    23. 寫周期時間-字,頁:70ns
    24. 訪問時間:70ns
    25. 電壓-供電:2.5V ~ 3.6V
    26. 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
    27. 安裝類型:表面貼裝型
    28. 產(chǎn)品封裝:48-TFBGA
    29. IS66WV51216EBLL-70BLI均從ISSI代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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