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      圖片信息
      IS61QDB42M18C-333M3I圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:IS61QDB42M18C-333M3I
    4. 原始制造廠商:ISSI
    5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:存儲器
    7. 點(diǎn)擊此處下載IS61QDB42M18C-333M3I的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
    8. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:IS61QDB42M18C-333M3I
    11. 制造商:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    12. 描述:IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA
    13. 產(chǎn)品系列:存儲器
    14. 包裝:托盤
    15. 系列:-
    16. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
    17. 存儲器類型:易失
    18. 存儲器格式:SRAM
    19. 技術(shù):SRAM - 同步,QUAD
    20. 存儲容量:36Mb(2M x 18)
    21. 存儲器接口:并聯(lián)
    22. 時鐘頻率:333MHz
    23. 寫周期時間-字,頁:-
    24. 訪問時間:8.4ns
    25. 電壓-供電:1.71V ~ 1.89V
    26. 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
    27. 安裝類型:表面貼裝型
    28. 產(chǎn)品封裝:165-LBGA
    29. IS61QDB42M18C-333M3I均從ISSI代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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