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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：IS61QDB21M36-250M3

原始制造廠商：ISSI

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA

產(chǎn)品應(yīng)用分類：存儲器

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：IS61QDB21M36-250M3

制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA

產(chǎn)品系列：存儲器

包裝：托盤

系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

存儲器類型：易失

存儲器格式：SRAM

技術(shù)：SRAM - 同步，QUAD

存儲容量：36Mb（1M x 36）

存儲器接口：并聯(lián)

時(shí)鐘頻率：250MHz

寫周期時(shí)間-字，頁：-

訪問時(shí)間：7.5ns

電壓-供電：1.71V ~ 1.89V

工作溫度：0°C ~ 70°C（TA）

安裝類型：表面貼裝型

產(chǎn)品封裝：165-LBGA

IS61QDB21M36-250M3均從ISSI代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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