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      圖片信息
      IS43DR86400E-3DBLI圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:IS43DR86400E-3DBLI
    4. 原始制造廠商:ISSI
    5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:存儲器
    7. 點擊此處下載IS43DR86400E-3DBLI的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
    8. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:IS43DR86400E-3DBLI
    11. 制造商:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    12. 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
    13. 產(chǎn)品系列:存儲器
    14. 包裝:托盤
    15. 系列:-
    16. 零件狀態(tài):有源
    17. 存儲器類型:易失
    18. 存儲器格式:DRAM
    19. 技術(shù):SDRAM - DDR2
    20. 存儲容量:512Mb(64M x 8)
    21. 存儲器接口:并聯(lián)
    22. 時鐘頻率:333MHz
    23. 寫周期時間-字,頁:15ns
    24. 訪問時間:450ns
    25. 電壓-供電:1.7V ~ 1.9V
    26. 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
    27. 安裝類型:表面貼裝型
    28. 產(chǎn)品封裝:60-TFBGA
    29. IS43DR86400E-3DBLI均從ISSI代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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