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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：IS42SM32800E-6BLI

原始制造廠商：ISSI

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA

產(chǎn)品應(yīng)用分類：存儲器

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：IS42SM32800E-6BLI

制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA

產(chǎn)品系列：存儲器

包裝：托盤

系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

存儲器類型：易失

存儲器格式：DRAM

技術(shù)：SDRAM - 移動(dòng)

存儲容量：256Mb（8M x 32）

存儲器接口：并聯(lián)

時(shí)鐘頻率：166MHz

寫周期時(shí)間-字，頁：-

訪問時(shí)間：5.5ns

電壓-供電：2.7V ~ 3.6V

工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）

安裝類型：表面貼裝型

產(chǎn)品封裝：90-TFBGA

IS42SM32800E-6BLI均從ISSI代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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