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      圖片信息
      IRFHM830TRPBF圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:IRFHM830TRPBF
    4. 原始制造廠商:IR,國際整流器
    5. 技術標準參數(shù):MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
    6. 產品應用分類:單端場效應管
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. 制造商產品型號:IRFHM830TRPBF
    11. 制造廠家名稱:IR(International Rectifier)已被英飛凌INFINEON收購
    12. 描述:MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
    13. 系列:HEXFET
    14. FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    15. FET 功能:邏輯電平門
    16. 漏源極電壓 (Vdss):30V
    17. 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):21A(Ta),40A(Tc)
    18. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):3.8 毫歐 @ 20A,10V
    19. 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 50μA
    20. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):31nC @ 10V
    21. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2155pF @ 25V
    22. 功率 - 最大值:2.7W
    23. 安裝類型:表面貼裝
    24. 產品封裝:8-VQFN 裸露焊盤
    25. 供應商器件封裝:PQFN(3x3)
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