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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：IRFH4255DTRPBF

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN

產(chǎn)品應(yīng)用分類：場效應(yīng)管陣列

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：IRFH4255DTRPBF

制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購

描述：MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN

系列：HEXFET

FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：25V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：30A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：3.2 毫歐 @ 30A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 35μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：15nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1314pF @ 13V

功率 - 最大值：31W， 38W

安裝類型：表面貼裝

產(chǎn)品封裝：8-PowerVDFN

供應(yīng)商器件封裝：PQFN（5x6）

IRFH4255DTRPBF均從IR代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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