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      圖片信息
      IRF7329TR圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:IRF7329TR
    4. 原始制造廠商:IR,國際整流器
    5. 技術(shù)標準參數(shù):MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:場效應(yīng)管陣列
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:IRF7329TR
    11. 制造廠家名稱:IR(International Rectifier)已被英飛凌INFINEON收購
    12. 描述:MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
    13. 系列:HEXFET
    14. FET 類型:2 個 P 溝道(雙)
    15. FET 功能:邏輯電平門
    16. 漏源極電壓 (Vdss):12V
    17. 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):9.2A
    18. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):17 毫歐 @ 9.2A,4.5V
    19. 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA
    20. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):57nC @ 4.5V
    21. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):3450pF @ 10V
    22. 功率 - 最大值:2W
    23. 安裝類型:表面貼裝
    24. 產(chǎn)品封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    25. 供應(yīng)商器件封裝:8-SO
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