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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：IRF6785MTR1PBF

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET

產(chǎn)品應(yīng)用分類：單端場效應(yīng)管

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：IRF6785MTR1PBF

制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購

描述：MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET

系列：HEXFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：200V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：3.4A（Ta），19A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：100 毫歐 @ 4.2A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 100μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：36nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1500pF @ 25V

功率 - 最大值：2.8W

安裝類型：表面貼裝

產(chǎn)品封裝：DirectFET 等容 MZ

供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET MZ

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