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      圖片信息
      ZXMN6A11DN8TA圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:ZXMN6A11DN8TA
    4. 原始制造廠商:Diodes,美臺半導體
    5. 技術(shù)標準參數(shù):MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC
    6. 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:ZXMN6A11DN8TA
    11. 制造商:Diodes Incorporated
    12. 描述:MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC
    13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
    14. 產(chǎn)品系列:-
    15. 零件狀態(tài):有源
    16. FET類型:2 N-通道(雙)
    17. FET功能:邏輯電平門
    18. 漏源電壓(Vdss):60V
    19. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):2.5A
    20. 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):120 毫歐 @ 2.5A,10V
    21. 不同Id時Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA(最小)
    22. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):5.7nC @ 10V
    23. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):330pF @ 40V
    24. 功率-最大值:1.8W
    25. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
    26. 安裝類型:表面貼裝型
    27. 封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
    28. ZXMN6A11DN8TA均從Diodes代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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