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      圖片信息
      MMBTH10-7-F圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:MMBTH10-7-F
    4. 原始制造廠商:Diodes,美臺半導體
    5. 技術標準參數(shù):RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
    6. 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
    7. 點擊此處下載MMBTH10-7-F的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:MMBTH10-7-F
    11. 制造商:Diodes Incorporated
    12. 描述:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
    13. 系列:晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
    14. 零件狀態(tài):有源
    15. 晶體管類型:NPN
    16. 電壓-集射極擊穿(最大值):25V
    17. 頻率-躍遷:650MHz
    18. 噪聲系數(shù)(dB,不同f時的典型值):-
    19. 增益:-
    20. 功率-最大值:300mW
    21. 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):60 @ 4mA,10V
    22. 電流-集電極(Ic)(最大值):50mA
    23. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
    24. 安裝類型:表面貼裝型
    25. 封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
    26. MMBTH10-7-F均從Diodes代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
    27. 時刻努力成為您值得信賴的IC供應商
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