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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：DMTH10H025LPSQ-13

原始制造廠商：Diodes，美臺半導體

技術標準參數：MOSFET N-CH 100V PWRDI5060

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數詳解：

制造商產品型號：DMTH10H025LPSQ-13

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 100V PWRDI5060

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：Automotive, AEC-Q101

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：9.3A（Ta），45A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：23 毫歐 @ 20A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：21nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1477pF @ 50V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），79W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：PowerDI5060-8

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Diodes

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