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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：DMT3009LDT-7

技術標準參數：MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術參數詳解：

制造商產品型號：DMT3009LDT-7

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產品系列：-

零件狀態(tài)：有源

FET類型：2 N 溝道（雙）非對稱型

FET功能：標準

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：30A

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：11.1 毫歐 @ 14.4A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 15V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1500pF @ 15V

功率-最大值：1.2W

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-VDFN

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Diodes

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