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      圖片信息
      DMN3190LDW-13圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:DMN3190LDW-13
    4. 原始制造廠商:Diodes,美臺半導(dǎo)體
    5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
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    8. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:DMN3190LDW-13
    11. 制造商:Diodes Incorporated
    12. 描述:MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
    13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
    14. 產(chǎn)品系列:-
    15. 零件狀態(tài):有源
    16. FET類型:2 N-通道(雙)
    17. FET功能:邏輯電平門
    18. 漏源電壓(Vdss):30V
    19. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):1A
    20. 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):190 毫歐 @ 1.3A,10V
    21. 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.8V @ 250μA
    22. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):2nC @ 10V
    23. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):87pF @ 20V
    24. 功率-最大值:320mW
    25. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
    26. 安裝類型:表面貼裝型
    27. 封裝:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
    28. DMN3190LDW-13均從Diodes代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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