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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：DMG6898LSD-13

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：DMG6898LSD-13

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

FET類型：2 N-通道（雙）

FET功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：9.5A

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：16 毫歐 @ 9.4A，4.5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：26nC @ 10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1149pF @ 10V

功率-最大值：1.28W

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）

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Diodes

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