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      圖片信息
      DGD2101MS8-13圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:DGD2101MS8-13
    4. 原始制造廠商:Diodes,美臺半導體
    5. 技術標準參數(shù):IC GATE DRVR HI/LO-SIDE 8SO 2.5K
    6. 產(chǎn)品應用分類:電源管理IC - 柵極驅動器
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:DGD2101MS8-13
    11. 制造商:Diodes Incorporated
    12. 描述:IC GATE DRVR HI/LO-SIDE 8SO 2.5K
    13. 產(chǎn)品系列:電源管理IC - 柵極驅動器
    14. 包裝:卷帶(TR)
    15. 系列:-
    16. 零件狀態(tài):有源
    17. 驅動配置:高壓側或低壓側
    18. 通道類型:獨立式
    19. 驅動器數(shù):2
    20. 柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET
    21. 電壓-供電:10V ~ 20V
    22. 邏輯電壓?-VIL,VIH:0.8V,2.5V
    23. 電流-峰值輸出(灌入,拉出):290mA,600mA
    24. 輸入類型:非反相
    25. 高壓側電壓-最大值(自舉):600V
    26. 上升/下降時間(典型值):70ns,35ns
    27. 工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
    28. 安裝類型:表面貼裝型
    29. 產(chǎn)品封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
    30. DGD2101MS8-13均從Diodes代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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