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      圖片信息
      DDTB114EC-7-F圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:DDTB114EC-7-F
    4. 原始制造廠商:Diodes,美臺半導體
    5. 技術標準參數(shù):TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
    6. 產品應用分類:晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. 制造商產品型號:DDTB114EC-7-F
    11. 制造商:Diodes Incorporated
    12. 描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
    13. 系列:晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置
    14. 零件狀態(tài):有源
    15. 晶體管類型:PNP - 預偏壓
    16. 電流-集電極(Ic)(最大值):500mA
    17. 電壓-集射極擊穿(最大值):50V
    18. 電阻器-基極(R1):10 kOhms
    19. 電阻器-發(fā)射極(R2):10 kOhms
    20. 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):56 @ 50mA,5V
    21. 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA
    22. 電流-集電極截止(最大值):500nA
    23. 頻率-躍遷:200MHz
    24. 功率-最大值:200mW
    25. 安裝類型:表面貼裝型
    26. 封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
    27. DDTB114EC-7-F均從Diodes代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
    28. 時刻努力成為您值得信賴的IC供應商
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