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      圖片信息
      NE3512S02-T1C-A圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:NE3512S02-T1C-A
    4. 原始制造廠商:CEL
    5. 技術(shù)標準參數(shù):HJ-FET NCH 13.5DB S02
    6. 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
    7. 點擊此處下載NE3512S02-T1C-A的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:NE3512S02-T1C-A
    11. 制造商:CEL
    12. 描述:HJ-FET NCH 13.5DB S02
    13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
    14. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
    15. 晶體管類型:HFET
    16. 頻率:12GHz
    17. 增益:13.5dB
    18. 電壓-測試:2V
    19. 額定電流(安培):70mA
    20. 噪聲系數(shù):0.35dB
    21. 電流-測試:10mA
    22. 功率-輸出:-
    23. 電壓-額定:4V
    24. 封裝:4-SMD,扁平引線
    25. NE3512S02-T1C-A均從CEL代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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